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教师介绍-杨宇

作者:物理科学与技术学院 | 发布日期:2016-06-01  |  【     [关闭窗口]


联系电话:65033824; 电子邮件yuyang@ynu.edu.cn

杨宇,1967年1月出生于贵州兴仁,二级教授,博士生导师,云南省中青年学术技术带头人,云南大学科学技术处处长,云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所所长。兼任中国仪器仪表功能材料学会常务理事、中国半导体专业委员会委员、云南省高等学校学术委员会委员、科技部863通讯评审专家委员会委员、云南省发明学会副会长、云南省高校科研管理学会理事长、九三学社云南大学副主任委员。任《材料导报》、《红外技术》、《功能材料》、《人工晶体学报》、《功能材料信息》等杂志编委会委员。主要从事半导体薄膜光电材料与器件研究,先后主持完成中国博士后基金、云南省自然科学基金面上与重点项目、国家自然科学基金研究项目等十余项。在国内外重要学术刊物发表论文160多篇,SCI、EI收录80余篇;获国家发明专利10项。

主要研究工作经历:

2008/7 – 至今,云南大学科技处/光电信息材料研究所,处长、所长/教授

2006/12 – 2008/02,哈佛大学工程与应用科学学院应用物理,访问学者

1997/08 – 2006/11,云南大学物理系 / 材料系/化工材料学院 / 工程技术研究院,教授、系主任、副院长

1995/08 – 1997/07,中国科学院上海冶金研究所,材料科学与工程,博士后

1992/08 – 1995/07,复旦大学物理系 凝聚态物理,博士

1991/04 – 1992/07,昆明物理研究所 超导器件物理,工程师

1988/08 – 1991/03,中国科技大学、中科院等离子物理所,等离子体物理,硕士


主要研究方向:

1:薄膜光电材料

2:无机/有机界面光电材料与器件

3:量子点材料

4:半导体物理与器件

奖励及荣誉称号:

1997年 获上海市博士后论文报告优秀奖

1998年 获首届云南省青年科技奖

2001年 获云南省中青年学术与技术带头人称号

2001年 获第七届中国青年科技奖

2003 获云南省科学技术奖励三等奖(自然科学类,排名第一)

2011 获云南省科学技术奖励二等奖(自然科学类,排名第一)

2012 获“十一五”期间全国高校科技管理先进个人


近5年代表成果(均为通讯作者的12篇代表论文及2项专利):

[1] Yu Yang*, Jiming Bao, Cong Wang, Micheal Aziz, “Sub-bandgap luminescence centers in silicon created by ion implantation and annealing”, J. Appl. Phys., Vol. 107, 123109-114, 2010
[2] Jie Yang, Yingxia Jin, Chong Wang, Liang Li, Dongping Tao, and Yu Yang*, Evolution of self-assembled Ge/Si island grown by ion beam sputtering deposition”, Applied Surface Science, Vol. 258, 3637-3642, 2012
[3] 杨杰,王茺,靳映霞,李亮,陶东平,*离子束溅射Ge量子点的应变调制生长物理学报,61卷, 0168042012
[4] Y. Yang*, J. M. Bao, et al, “Observation on photoluminescence evolution in 300 KeV self-ion implanted and annealed silicon”, Materials Technology, Vol. 27, 130-132, 2012
[5]杨宇*,等Ge/Si量子点溅射生长的研究进展2012 年功能材料科技与产业高层论坛,大会特邀报告
[6]*杨杰,靳映霞,硅离子注入Si晶片发光研究”, 人工晶体材料,第41卷,270-2742012.
[7]杨宇*,王茺,李亮,杨杰,韦冬,“Si离子自注入硅晶体不同系列发光中心的研究第七届中国功能材料及其应用学术会议35-40页,大会报告,2010
[8]杨洲,王茺,王洪涛,胡伟达,*“Ge组分对应变Si1-xGex沟道p-MOSFET电学特性影响物理学报, 60卷,0771022011
[9]张学贵,王茺,鲁植全,杨杰,李亮,*离子束溅射自组装Ge/Si纳米薄膜生长的演变物理学报, 60卷, 0961012011
[10]Yang Yu, Wang Conget al, Photoluminescence evolution in self-ion implanted and annealed siliconChinese Physics B, Vol. 18, 4906~4911 (2009)
[11]宇,硅缺陷发光的研究概况,功能材料信息,高层论坛 Vol. 6, 12~14 (2009)
[12]宇,王茺,硅基低维红外探测薄膜材料的研究概况,材料导报Vol. 23, 5~12 (2009)
[13]王茺等,缓冲层填埋断续生长高均匀尺寸Ge量子点的方法,2011,中国,ZL 2010 1 0181934.1
[14]王茺等,离子束溅射生长高密度细小自组织Ge量子点的方法,2010,中国,ZL 2009 1 0163239
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